Conform Go4IT: Samsung pregătește următorul salt în miniaturizarea cipurilor, vizând introducerea tehnologiei High-NA EUV pentru procesul de fabricație de 1 nanometru (nm), care ar urma să intre în producție de masă în jurul anului 2030. Această mutare strategică marchează un pas important pentru divizia de foundry a companiei, care deja a instalat două sisteme de litografie avansată în centrul său din Hwaseong.
High-NA EUV – O nouă eră pentru cipurile fine
Tehnologia High-NA EUV (High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet) reprezintă o nouă generație în litografia pentru microcipuri. Prin utilizarea luminii ultraviolete cu o deschidere numerică de 0,55, față de 0,33 la generația anterioară, aceasta permite crearea unor linii mult mai fine. Rezoluția îmbunătățită este crucială pentru dezvoltarea cipurilor de ultimă generație, necesare, de exemplu, pentru aplicațiile de inteligență artificială. Samsung consideră că această tehnologie va deveni esențială începând cu procesul A10 și versiunile ulterioare, chiar dacă implementarea pe scară largă necesită încă îmbunătățiri suplimentare. Producția comercială pe procesul de 2 nm a fost deja demarată, iar compania pregătește procesul SF1.4, cu producție de masă planificată pentru 2029, urmat de SF1.4+ și procesul de 1 nm în 2030. Avantajul major al High-NA EUV constă în potențiala eliminare a etapelor multiple de patterning, optimizând astfel costurile și flexibilitatea în proiectarea circuitelor. Cu toate acestea, provocările legate de măști și peliculele de protecție sugerează o posibilă coexistență cu tehnologia EUV convențională.
Investiții majore și comparații cu competitorii
Samsung a investit deja peste 1.000 de miliarde de woni în echipamente High-NA EUV, instalând primul sistem în 2025 și un al doilea în prima jumătate a anului 2026 la Hwaseong. Deși implementarea comercială la scară largă nu a fost încă confirmată oficial, presiunile economice și necesitatea de a revitaliza afacerea de producție de cipuri pentru clienți externi ar putea accelera acest proces. În același timp, Samsung își extinde utilizarea tehnologiei Atomic Layer Etching (ALE) pentru un control sporit al structurilor microscopice.
Competiția nu stă pe loc. Intel a demonstrat deja utilizarea High-NA EUV pentru anumite straturi ale procesoarelor Panther Lake, fabricate pe procesul Intel 18A, marcând prima utilizare a tehnologiei pentru dispozitive logice produse în serie. Pe de altă parte, TSMC adoptă o abordare mai prudentă, deși a achiziționat deja echipamente similare și desfășoară activități de cercetare. Conducerea TSMC a indicat că procesele A13 și A12, programate pentru 2029, nu vor necesita noua generație EUV, evidențiind strategii diferite în adoptarea tehnologiei. SK hynix explorează, de asemenea, aplicabilitatea High-NA EUV pentru viitoarele memorii DRAM, cu un sistem destinat producției de masă operațional din a doua jumătate a anului 2025. Compania analizează două abordări, comparând EUV convențional cu multiple etape de patterning versus High-NA EUV cu o singură etapă, luând în considerare și utilizarea măștilor de tip Phase Shift Mask (PSM) pentru îmbunătățirea contrastului și rezoluției.
Primul sistem High-NA EUV a fost instalat la centrul din Hwaseong în 2025.
Sursa: Go4IT
